Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	I. B. Berkutov, V. V. Andrievskij, Ju. F. Komnik, Ju. A. Kolesnichenko, A. I. Berkutova, D. R. Ledli, O. A. Mironov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000484738
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018)

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model
за авторством: Ju. Sharibaev
Опубліковано: (2013)

Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)

Analysis of the width of the gravic back of the gravel filters of drilling wells
за авторством: A. A. Kozhevnikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)

“Multicoloured” superradiance in quantum heterostructures
за авторством: Pikaruk, O.O., та інші
Опубліковано: (2004)

Difference harmonic generation due to spin-flip transitions in an asymmetric quantum well
за авторством: Korovin, A.V.
Опубліковано: (2001)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Influence of electron irradiation on spectra of light electroreflection from the surface of Ge/Ge₁₋xSix heterostructure
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Determination of efficient dragline cut width on the above-ore bench with drainage wells
за авторством: Yu. Sobko, та інші
Опубліковано: (2018)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)