Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	S. V. Lunov, A. I. Zimych, P. F. Nazarchuk, V. T. Masliuk, I. H. Mehela
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000525156
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Study of influence of radiation defects on optical and luminescence properties of CaF2 crystals
за авторством: V. T. Masliuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)

Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

The point radiation defects in Li₆YB₃O₉:Eu³⁺ single crystals
за авторством: Yavetskiy, R.P.
Опубліковано: (2008)

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Luminescence and radiation-induced defects in Li₂B₄O₇:Eu single crystals
за авторством: Dubovik, M.F., та інші
Опубліковано: (2000)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Luminescence of CWO single crystals containing various defects
за авторством: Grinyov, B.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Defects formation in spinel crystals under electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Efficiency of defects formation in spinel under high energy electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)

Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals
за авторством: Garapyn, I., та інші
Опубліковано: (2007)

The effect of annealing on the transverse electrotransport of single crystals YBa2Cu3O7–δ irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Evolution of over-conductivity of YВа₂Сu₃О₇-δ single crystals under the exposure of irradiation by high-energy electrons
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Experimental determination of metal fuel point defect parameters
за авторством: Fluss, M.J., та інші
Опубліковано: (2009)

Gamma-ray-induced decrease of L-defect concentration in KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)