Зображення обкладинки

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	S. V. Lunov, A. I. Zimych, P. F. Nazarchuk, V. T. Masliuk, I. H. Mehela
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000525156
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Study of influence of radiation defects on optical and luminescence properties of CaF2 crystals
за авторством: V. T. Masliuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Efficiency of defects formation in spinel under high energy electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature creation of Frenkel defects via hot electron-hole recombination in highly pure NaCl single crystals
за авторством: A. Lushchik, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of electron irradiation on excess conductivity of single Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of annealing on the transverse electrotransport of single crystals YBa2Cu3O7–δ irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

The influence of high-temperature annealing on the temperature dependence of the pseudogap of YBa2Cu3O7–δ single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Evolution of the transverse electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals under irradiation with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of high-energy electron irradiation on the superconducting transition and anisotropy of the electrical resistance of YVa2Su3O7–δ single crystals
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa2Cu3O7–δ single crystalls
за авторством: N. A. Azarenkov, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of electron irradiation on the transverse conductivity of YBa2Cu3O7–δ single crystal
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)

Restoration of single crystal blades of gas turbines of high-temperature nickel alloys with surface defects and damages by surfacing
за авторством: K. A. Jushchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)

X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

Multiwalled carbon nanotube destruction in the radiation damages to electron irradiation
за авторством: T. M. Pinchuk-Ruhal, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
за авторством: Ismailov, A.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)

The single-crystal ferromagnetic films for microwave electronics
за авторством: S. I. Jushchuk
Опубліковано: (1998)

Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)