The role of the conduction electrons in the formation of a thermal boundary resistance of the metal-dielectric interface and resistivity of the metal films at low temperatures (Review Article)
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | A. I. Bezuglyj, V. A. Shklovskij |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000573239 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrical resistivity for HTSC–normal metal interface
за авторством: V. I. Sokolenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Hot electrons in metal films at low temperatures
за авторством: V. A. Shklovskij
Опубліковано: (2018) -
Effect of the diamond-metal binder interface on the thermal expansion coefficient and wear resistance of electrosinted diamond composites
за авторством: A. S. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Effect of the contact conductivity of the diamond–metal binder interface on the thermal conductivity of diamond-containing composites
за авторством: R. S. Shmehera, та інші
Опубліковано: (2015) -
Structure and mechanism of electrical conductivity of resistive compositions for thick-film metal-ceramic heating elements
за авторством: Ja. Telnikov, та інші
Опубліковано: (2019)