AlGaInAs graded-dap Gunn diode
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | I. P. Storozhenko, M. V. Kajdash |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Radiophysics and Electronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000585180 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012) -
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013) -
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2016) -
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)