Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskij, Ju. N. Khoverko, R. N. Koretskij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014) -
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019) -
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: A. O. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019) -
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004) -
Fabrication of silicon nanowhiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2011)