Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Botsula, K. G. Prikhodko, V. A. Zozulja |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Radiophysics and Electronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000623083 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
Heterostructure-based diode with the cathode static domain
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
Ionization of fructose molecules by electron impact
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2024)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)
Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
The electrochemical ionization and passivation of Cu-62Zn brass in chloride solution
за авторством: L. M. Egorova, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: L. M. Egorova, та інші
Опубліковано: (2012)
Electron impact ionization of tellurium in the gas phase
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)
Electron impact ionization and excitation of uracil molecules
за авторством: M. I. Sukhoviya, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. I. Sukhoviya, та інші
Опубліковано: (2012)
Electron impact ionization and excitation of uracil molecules
за авторством: M. I. Sukhoviia, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. I. Sukhoviia, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron-impact ionization of the glutamic acid and glutamine molecules
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2021)
Electron-impact ionization of the glutamic acid and glutamine molecules
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2021)
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2007)
Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Electron-impact ionization of tyrosine and threonine amino acid molecules
за авторством: V. S. Vukstich, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. S. Vukstich, та інші
Опубліковано: (2022)
Electron-impact ionization of tyrosine and threonine amino acid molecules
за авторством: V. S. Vukstych, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. S. Vukstych, та інші
Опубліковано: (2022)
Partial ionization cross-sections of rubidium atom by electron impact
за авторством: V. I. Roman, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. I. Roman, та інші
Опубліковано: (2015)
Electron impact excitation and ionization of sulfur, selenium, and tellurium vapors
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013) -
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024) -
Heterostructure-based diode with the cathode static domain
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2015) -
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015) -
Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)