Зображення обкладинки

Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	O. V. Botsula, K. G. Prikhodko, V. A. Zozulja
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Radiophysics and Electronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000623083
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Heterostructure-based diode with the cathode static domain
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

Effect of transverse and longitudinal magnetic field on the excess conductivity of YBa₂Cu₃₋zAlzO₇₋δ single crystals with a given topology of plane defects
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)

Ionization of fructose molecules by electron impact
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2024)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Electron impact ionization of tellurium in the gas phase
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)

Electron impact ionization and excitation of uracil molecules
за авторством: M. I. Sukhoviya, та інші
Опубліковано: (2012)

Electron impact ionization and excitation of uracil molecules
за авторством: M. I. Sukhoviia, та інші
Опубліковано: (2012)

Impact of traps on current-voltage characteristic of ⁺--⁺ diode
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron-impact ionization of the glutamic acid and glutamine molecules
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2021)

Electron-impact ionization of the glutamic acid and glutamine molecules
за авторством: A. M. Zavilopulo, та інші
Опубліковано: (2021)

The electrochemical ionization and passivation of Cu-62Zn brass in chloride solution
за авторством: L. M. Egorova, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

N-Wave Equations with Orthogonal Algebras: Z₂ and Z₂ × Z₂ Reductions and Soliton Solutions
за авторством: Gerdjikov, V.S., та інші
Опубліковано: (2007)

Electron-impact ionization of tyrosine and threonine amino acid molecules
за авторством: V. S. Vukstich, та інші
Опубліковано: (2022)