Pokutnij, S. I. (2016). Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Pokutnij, S. I. Excitons Formed from Spatially Separated Electrons and Holes in Ge/Si Geterostructures with Quantum Dots. 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Pokutnij, S. I. Excitons Formed from Spatially Separated Electrons and Holes in Ge/Si Geterostructures with Quantum Dots. 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.