Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автор: | S. I. Pokutnij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000649340 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018) -
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015) -
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015) -
Exciton of the spatially-divided electron and hole in the quasi-zero-dimensional nanostructures
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2014) -
Hole, impurity and exciton states in a spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)