Low doses effect in GaP light-emitting diodes
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | O. M. Hontaruk, O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, O. I. Radkevych, V. P. Tartachnyk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000706525 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014) -
Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2006)