Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | G. V. Vertsimakha |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000706531 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2016) -
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015) -
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2015) -
Ordered Dissipative Structures in Exciton Systems in Semiconductor Quantum Wells
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006) -
Exciton condensation in quantum wells
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2006)