The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, I. O. Sokolovskyi, M. Evstigneev
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714435
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoconversion efficiency of quantum-well solar cells for the optimum doping level of a base
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Residual lifetime estimation for long exploited section of the main gas pipeline
за авторством: Ye. Andreikiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Peculiarities of the temperature dependences of silicon solar cells illuminated with light simulator
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of the temperature dependences of silicon solar cells illuminated with light simulator
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Calculation model for assessment of fibroconcrete structures lifetime under long-term static loading
за авторством: Ye. Andreikiv, та інші
Опубліковано: (2020)

Exciton-polaritons in 2D macroporous silicon structures with nano-coatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of successful modification forms of journalistic investigation: a long read
за авторством: V. Stiekolshchykova
Опубліковано: (2017)

Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)