Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | O. L. Bratus, A. A. Evtukh, O. V. Steblova, V. M. Prokopchuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714526 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016) -
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014) -
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011) -
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)