Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, Ya. M. Olikh, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714530 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Stimulated emission of Cr²⁺ ions in ZnS:Cr thin-film electroluminescent structures
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Nano-size phase formation at acoustically stimulated ion beam synthesis
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures
за авторством: V. H. Boiko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. H. Boiko, та інші
Опубліковано: (2021)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)
Longitudinal relaxation of mechanically clamped KH₂PO₄ type crystals
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
Stimulated by heating-up changes of lux-brightness characteristics of semi-in sulating speciallyundoped GaAs crystals
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
Development of methods of the directional structural change and properties of constructional materials by stimulation of relaxation processes in the NSC ‘KhPhTI': the review dedicated to the 80th anniversary of the National Scientific Centre ‘Kharkiv
за авторством: I. M. Nekljudov, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: I. M. Nekljudov, та інші
Опубліковано: (2008)
Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
за авторством: V. G. Boyko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Boyko, та інші
Опубліковано: (2012)
Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)
Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures
за авторством: Olikh, O.Ya.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Olikh, O.Ya.
Опубліковано: (2003)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)
Degradation processes in LED modules
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020) -
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020) -
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024) -
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019) -
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)