Baranskii, P. I., & Gaidar, G. P. (2016). Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskii, P. I., та G. P. Gaidar. Features of Tensoresistance in Single Crystals of Germanium and Silicon with Different Dopants. 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskii, P. I., та G. P. Gaidar. Features of Tensoresistance in Single Crystals of Germanium and Silicon with Different Dopants. 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.