Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	P. I. Baranskii, G. P. Gaidar
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714531
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: Shul’pina, I.L., та інші
Опубліковано: (2011)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)

Electro-physical properties of γ-exposed crystals of silicon and germanium
за авторством: Dotsenko, Yu. P.
Опубліковано: (1999)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)

Dopant concentration dependence of thermostimulated luminescence in Li₂B₄O₇:Mn single crystals
за авторством: Holovey, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Rotation of single crystals of chiral dopants at the top of namatic droplet: a hydrodynamical analogy
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)

Features of tensoresistive properties of thin metallic films under elastic and plastic deformations
за авторством: D. V. Velykodnyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Migration-enhanced energy transfer from host to dopant in Sr₂CeO₄:Eu crystal
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)