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Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	P. I. Baranskii, G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714531
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