Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714536 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Peculiarities of Eu3+ photoluminescence in opal photonic crystal films and heterostructures based of them
за авторством: V. S. Mukharovska, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. S. Mukharovska, та інші
Опубліковано: (2023)
Peculiarities of Eu3+ photoluminescence in opal photonic crystal films and heterostructures based of them
за авторством: V. S. Mukharovska, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. S. Mukharovska, та інші
Опубліковано: (2023)
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Conformational effects and photoluminescence spectra of nanocomposites 5CB liquid crystals–carbon nanotubes
за авторством: G. V. Klishevich, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Klishevich, та інші
Опубліковано: (2016)
Conformational effects and photoluminescence spectra of nanocomposites 5CB liquid crystals–carbon nanotubes
за авторством: G. V. Klishevich, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Klishevich, та інші
Опубліковано: (2016)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Field emission properties of pointed cathodes based on graphene films on SiC
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015) -
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014) -
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015) -
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013) -
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)