Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714542 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010) -
Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009) -
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)