The charge trapping/emission processes in silicon nanocrystalline nonvolatile memory assisted by electric field and elevated temperatures
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | V. A. Ievtukh, V. V. Ulyanov, A. N. Nazarov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714544 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The charge trapping/emission processes in silicon nanocrystalline nonvolatile memory assisted by electric field and elevated temperatures
за авторством: Ievtukh, V.A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)