Зображення обкладинки

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	V. M. Bondar, P. M. Tomchuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000721083
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
за авторством: Moradi, M., та інші
Опубліковано: (2010)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)