Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000722866 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
за авторством: Olikh, Ya. M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Olikh, Ya. M., та інші
Опубліковано: (2019)
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of g-irradiation on photoluminescence spectra of CdTe:Cl
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2002)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface
за авторством: Parfenyuk, O.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Parfenyuk, O.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe: Cl under the influence of microwaves
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe:Cl under the influence of microwaves
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2017)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние СВЧ-облучения на спектры фотолюминесценции монокристаллов CdTe: Cl при Т = 2k
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Пархоменко, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Пархоменко, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016) -
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999) -
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018) -
Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
за авторством: Olikh, Ya. M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)