Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Bokotey, V. V. Vakulchak, A. A. Bokotey, I. I. Nebola |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2016
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000723420 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016)
Прояв точкових дефектiв в електроннiй структурi кристалiв Hg3Te2Cl2
за авторством: Bokotey, O. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bokotey, O. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe: Cl under the influence of microwaves
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe:Cl under the influence of microwaves
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2017)
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Defects in Lamellar Phases of the Bi2Te3—Te Eutectics
за авторством: M. A. Ramazanov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. A. Ramazanov, та інші
Опубліковано: (2014)
Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
Electronic properties of graphene with point defects
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Crystal structure of AgGa2Se3Cl(Br) compounds
за авторством: I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)
The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Evolution of defect structure and explosive decomposition of NaCl under electron irradiation
за авторством: Dubinko, V.I., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Dubinko, V.I., та інші
Опубліковано: (1999)
nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Low-temperature creation of Frenkel defects via hot electron-hole recombination in highly pure NaCl single crystals
за авторством: A. Lushchik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Lushchik, та інші
Опубліковано: (2016)
Low-temperature creation of Frenkel defects via hot electron-hole recombination in highly pure NaCl single crystals
за авторством: Lushchik, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Lushchik, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
за авторством: Maryanchuk, P. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Maryanchuk, P. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Dominant point defects in doped cadmium telluride CdTe:Ge
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Electronic transport and optical properties of Mo0.5W0.5Te2 single crystal
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2019)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016) -
Прояв точкових дефектiв в електроннiй структурi кристалiв Hg3Te2Cl2
за авторством: Bokotey, O. V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003) -
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018) -
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)