Зображення обкладинки

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	V. M. Bondar, P. M. Tomchuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730791
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Polarization of far-IR radiation from p-type germanium under uniaxial pressure and strong electric field
за авторством: Bondar, V., та інші
Опубліковано: (2001)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)

Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
за авторством: Левченко, И.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Electron-lattice energy exchange and hot electrons in metal island films
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)

Algorithms of polarization parameters determination of pulsar radio emission
за авторством: O. M. Uljanov, та інші
Опубліковано: (2014)