Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | V. A. Vynychenko, V. V. Buchenko, N. S. Holoborodko, V. V. Lendel, Ye. Lushkin, V. M. Teleha |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000732187 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si
за авторством: Vinichenko, V. A., та інші
Опубліковано: (2019) -
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Morphology and optical properties of SnO₂ nanofilms
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2008)