Photoelectron emission from Si–Gd–O cathode
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | M. H. Nakhodkin, M. I. Fedorchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000732188 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoelectron emission from Si–Gd–O cathode
за авторством: M. G. Nakhodkin, та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode
за авторством: P. V. Melnyk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode
за авторством: P. V. Melnyk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Фотоелeктронна емiсiя катода Si–Gd–O
за авторством: Nakhodkin, M. G., та інші
Опубліковано: (2019) -
Photoelectron emission from solid Ne tested by impurity adsorption
за авторством: Dmitriev, Yu.A.
Опубліковано: (2009)