Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	G. P. Gaidar, P. I. Baranskii
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Journal of thermoelectricity
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000734001
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)

Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Temperature changes of Seebeck coefﬁcient of SbSJ modiﬁed
за авторством: Garbarz, B.
Опубліковано: (1999)

The features of magnetoresistance of n-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Quartz tuning fork oscillations in He II and drag coefficient
за авторством: I. A. Gritsenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Universal nonequilibrium thermodynamics and the Seebeck effect
за авторством: M. M. Mamedov
Опубліковано: (2014)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Uncovering some hidden pages in the life of thomas Johann Seebeck
за авторством: E. Velmre
Опубліковано: (2015)

Quantum turbulence: the drag coefficient under oscillations of the quartz tuning fork immersed in He II
за авторством: I. Gritsenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Crystal field parameter calculations for doped Pr³⁺ ion in Y₂SiO₅ crystal
за авторством: Zhmurin, P.N., та інші
Опубліковано: (2005)