Haidar, H. P., & Baranskyi, P. I. (2016). Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Haidar, H. P., та P. I. Baranskyi. Influence of Ge Isovalent Impurity and Thermoannealings on the Electrophysical Properties of Silicon Crystals. 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Haidar, H. P., та P. I. Baranskyi. Influence of Ge Isovalent Impurity and Thermoannealings on the Electrophysical Properties of Silicon Crystals. 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.