Haidar, H. P., & Baranskyi, P. I. (2016). Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Haidar, H. P., und P. I. Baranskyi. Influence of Ge Isovalent Impurity and Thermoannealings on the Electrophysical Properties of Silicon Crystals. 2016.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Haidar, H. P., und P. I. Baranskyi. Influence of Ge Isovalent Impurity and Thermoannealings on the Electrophysical Properties of Silicon Crystals. 2016.
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