Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2016
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| Schriftenreihe: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816047 |
| Tags: |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |