Зображення обкладинки

Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	V. P. Veleshchuk, O. I. Vlasenko, Z. K. Vlasenko, D. M. Khmil, O. M. Kamuz, V. V. Borshch
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007744
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Luminophor in white leds: advantages and disadvantages (review)
за авторством: D. N. Khmil, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

The mechanisms of the appearance of visible parasitic luminescence in the ultraviolet LED&#039;s 365 nm
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Method for determination of the absorption coefficient in films based on photoluminophore suspension for white LEDs
за авторством: Khmil, D.N., та інші
Опубліковано: (2015)

Method for determination of the absorption coefficient in films based on photoluminophore suspension for white LEDs
за авторством: D. N. Khmil, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

The use of hybrid organic-inorganic photoluminophors TO IMPROVE color rendering index of white LEDs
за авторством: D. N. Khmil, та інші
Опубліковано: (2014)

Development of the means of non-destructive testing and technical diagnostics in oil and gas industry
за авторством: O. M. Karpash, та інші
Опубліковано: (2009)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Control of metal fatigue by a non-destructive magnetic (coercimetric) method as an objective basis for diagnostics of equipment and structures
за авторством: Ja. Bezljudko, та інші
Опубліковано: (2009)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Technological features of laser, microplasma and hybrid laser-microplasma welding of aluminium alloys
за авторством: V. D. Sheljagin, та інші
Опубліковано: (2014)

Non-destructive quality control of roof bolting mounting
за авторством: S. I. Skipochka, та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Control circuits for LED positional indicator
за авторством: Bushma, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Non-destructive control of hardness of cast-iron grinding bodies
за авторством: V. A. Tverdokhvalov, та інші
Опубліковано: (2017)

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)

Non-destructive control of the surfaces state damaged by corrosive pits
за авторством: B. P. Rusyn, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)