InSb Photodiodes (Review, Part I)
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, I. M. Matiiuk, A. I. Tkachuk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2016
|
| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007745 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
InSb Photodiodes (Review, Part II)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2017)
InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
InAs photodiodes (Review. Part IV)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
von: Moradi, M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Moradi, M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: Sukach, A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Sukach, A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: A. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: G. V. Beketov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: G. V. Beketov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: Beketov, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Beketov, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
von: Yu. V. Holtvianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Yu. V. Holtvianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
von: S. V. Stariy, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: S. V. Stariy, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Berry phase in strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
von: Stariy, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Stariy, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
von: V. P. Maslov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. P. Maslov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
von: V. M. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. M. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
von: V. M. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. M. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
von: Vyklyuk, J.I., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Vyklyuk, J.I., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
von: Омельчук, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Омельчук, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Ähnliche Einträge
-
InSb Photodiodes (Review, Part II)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
InAs photodiodes (Review. Part IV)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)