Зображення обкладинки

Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	R. A. Denisjuk, V. N. Tomashik, T. N. Denisjuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007750
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)

Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd₀,₂Hg₀,₈Te с травителями системы NaNО₂–НІ–молочная кислота
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)

Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Синтез нанорозмірних оксидних порошків Ce0,8Gd0,2O2-δ
за авторством: Солодкий, Є.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Ellipsometric and spectrometric studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2020)

Ellipsometric and spectrometric studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2020)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)

Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of Ag2Te on transport properties of (AgSbTe2)0.9(PbTe)0.1
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of Ag2Te on transport properties of (AgSbTe2)0.9(PbTe)0.1
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2021)

Виготовлення, електричні та оптичні властивості твердих розчинів Cu1-xZnxInSe2 (x = 0,05 – 0,2)
за авторством: Божко, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)

The chemical, phase composition and optical properties of ZnxCd₁-xS films obtained by close spaced vacuum sublimation
за авторством: Yeromenko, Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in r+–r–r– structures of CdxHg1–xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)

Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)

Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)

On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)