Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2016
Назва видання:Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS