Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автор: | T. V. Semikina |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007755 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
IR spectroscopic study of thin ZnO films grown using the atomic layer deposition method
за авторством: Ye. F. Venher, та інші
Опубліковано: (2016) -
IR Spectroscopic Study of Thin ZnO Films Grown Using the Atomic Layer Deposition Method
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2016) -
ZnO thin films obtained by atomic layer deposition as a material for photovoltaics
за авторством: T. V. Semikina, та інші
Опубліковано: (2016) -
ZnO thin films obtained by atomic layer deposition as a material for photovoltaics
за авторством: T. V. Semikina, та інші
Опубліковано: (2016) -
Surface polariton excitation in ZnO films deposited using ALD
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2015)