Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353225 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction
von: Vitusevich, S. A., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Vitusevich, S. A., et al.
Veröffentlicht: (1999)
The crystal structures of the phases in the GdCuIn1-xAlx system
von: M. Horiacha, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: M. Horiacha, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
von: Strelchuk, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Strelchuk, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)