Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | N. L. Dmitruk, Yu. Borkovskaya, S. V. Mamykin, T. S. Havrylenko, I. B. Mamontova, N. V. Kotova, E. V. Basiuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353229 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
The electronic properties of doped single walled carbon nanotubes and carbon nanotube sensors
за авторством: Tetik, E.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tetik, E.
Опубліковано: (2014)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Synthesis of single-walled carbon nanotubes in dusty glow-discharge plasma
за авторством: Ya. Hayashi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Hayashi, та інші
Опубліковано: (2014)
Synthesis of single-walled carbon nanotubes in dusty glow-discharge plasma
за авторством: Ya. Hayashi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Hayashi, та інші
Опубліковано: (2014)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Growth of forest of single-walled carbon nanotubes at inhomogenious fluxes from plasma
за авторством: Burmaka, G.P., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Burmaka, G.P., та інші
Опубліковано: (2015)
The specific heat and the radial thermal expansion of bundles of single-walled carbon nanotubes
за авторством: M. I. Bagatskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. I. Bagatskii, та інші
Опубліковано: (2012)
The heat capacity of nitrogen chain in grooves of single-walled carbon nanotube bundles
за авторством: Bagatskii, M.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bagatskii, M.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Radial thermal expansion of single-walled carbon nanotube bundles at low temperatures
за авторством: Dolbin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Dolbin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
The specific heat and the radial thermal expansion of bundles of single-walled carbon nanotubes
за авторством: Bagatskii, M.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bagatskii, M.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Diffraction Control of Optical Discs Microrelief
за авторством: Antonov, E. E., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Antonov, E. E., та інші
Опубліковано: (2016)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Formation of forest of single-walled carbon nanotubes in plasma-enhanced chemical vapor deposition
за авторством: Burmaka, G.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Burmaka, G.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Temperature dependence of electronic transport in composite film of graphene oxide with single-wall carbon nanotubes: analysis and comparison with nanotube film
за авторством: V. A. Karachevtsev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. A. Karachevtsev, та інші
Опубліковано: (2019)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Energy spectrum of single-walled zigzag carbon nanotubes in the Hubbard model in the static-fluctuation approximation
за авторством: G. I. Mironov
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. I. Mironov
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009) -
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999) -
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)