Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353229 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)
Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigations of surface morphology and microrelief of GaAs single crystals by complementary methods
за авторством: Zymierska, D., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Zymierska, D., та інші
Опубліковано: (2000)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Mass-spectrometric study of single-walled carbon nanotubes modified by aliphatic amines
за авторством: Gromovoy, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Gromovoy, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Diffraction Control of Optical Discs Microrelief
за авторством: Antonov, E. E., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Antonov, E. E., та інші
Опубліковано: (2016)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Монолитные трансформаторы в многослойной технологии GaAs
за авторством: Bondar, D. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Bondar, D. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology
за авторством: Benbouza, M.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Benbouza, M.S., та інші
Опубліковано: (2006)