Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автор:	G. P. Gaidar
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353233
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Development of the CoCrAlY/ZrO<sub>2</sub>–8 % Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> type thermal barrier coating by surface doping of the metal layer with aluminum
за авторством: Yu. Yakovchuk, та інші
Опубліковано: (2022)

Influence of copper intercalation on thermoelectric properties change in Bi2Te3<Cu> doped crystals during storage
за авторством: A. P. Alieva, та інші
Опубліковано: (2016)

Prediction of thermodynamic properties of melts of CaO–Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
за авторством: I. A. Goncharov, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of TiN and ZrO<sub>2</sub> on phase transformations IN BaO–ZrO<sub>2</sub> (TIN) binary systems
за авторством: D. D. Mishchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Study of the excitation of 11/2<sup>–</sup> isomeric state of the nucleus <sup>139</sup>Se in reaction (&gamma;,n)<sup>m</sup> in the giant E1-resonance region
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of presence of Mn<sup>+4</sup> in welding aerosols
за авторством: O. M. Korduban, та інші
Опубліковано: (2021)

Luminescence of crystals ZnSe <AI>:Gd
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2018)

Theory and software implementations of Shor's <i>r</i>-algorithms
за авторством: P. I. Stetsjuk
Опубліковано: (2017)

Structure and properties of welded joints of Ni<sub>3</sub>Al intermetallic
за авторством: I. S. Hakh, та інші
Опубліковано: (2022)

Formation of composite coatings by the method of ultrasonic plasma spraying of powders based on the intermetallic TiAl with non-metallic refrectory compounds SiC And Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>
за авторством: Yu. S. Borysov, та інші
Опубліковано: (2022)

Periodic feeding of magnesium portions in magnesium thermal reduction of TiCl<sub>4</sub>
за авторством: D. A. Listopad, та інші
Опубліковано: (2010)

CuSi<sub>3</sub> application for joining art products by arc TIG braze-welding
за авторством: S. M. Minakov, та інші
Опубліковано: (2023)

Thermal spraying of coatings, containing Cr<sub>2</sub>AlC max-phase (Review)
за авторством: N. V. Vihilianska, та інші
Опубліковано: (2024)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 <Er> single crystals
за авторством: T. B. Taghiyev
Опубліковано: (2011)

Solutions of some problems of fractional-differential filtration dynamics based on models with <i>ABC</i>-fractional derivative
за авторством: V. M. Bulavatskij
Опубліковано: (2017)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum magnetoresistance in Si <B, Ni> whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals
за авторством: Shpilinskaya, A.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of Al–Si AND Al–Cu multilayer on the formation of the joint structure of SiC<sub>R</sub>–AMh5 composite during diffusion welding
за авторством: A. I. Ustinov, та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of preliminary activation of TiAl powder on the process of mechanochemical synthesis of (Fe, Ti)<sub>3</sub>Al intermetallics
за авторством: Yu. S. Borysov, та інші
Опубліковано: (2022)

Producing of TiO<sub>2</sub> coatings of suspension using the method of high-speed air-gas plasma spraying
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2010)

Structure and mechanical properties of thick molybdenum condensates and dispersion-strengthened alloys of Mo–ZrO<sub>2</sub> system
за авторством: A. V. Demchyshyn, та інші
Опубліковано: (2024)

Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type <β–CD<FeSO4>>) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Analysis of the operation efficiency of a city transport system by the methods of <i>U</i>-statistics. I. Interactive evaluation of the results of continuous monitoring
за авторством: O. D. Polishchuk, та інші
Опубліковано: (2022)

Supersingular twisted Edwards curves over prime fields.I. Supersingular twisted Edwards curves with ј-invariants 0 and 12<sup>3</sup>
за авторством: A. V. Bessalov, та інші
Опубліковано: (2019)

Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)

Supersingular twisted Edwards curves over a simple field. II. supersingular twisted Edwards curves with an j-invariant equal to 66<sup>3</sup>
за авторством: A. V. Bessalov, та інші
Опубліковано: (2019)