Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
1. Verfasser:	G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353233
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