Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | A. V. Vasin, Y. Ishikawa, A. V. Rusavsky, A. N. Nazarov, A. A. Konchitz, V. S. Lysenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353235 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx:H films
за авторством: Vasin, A.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014) -
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Tight-binding description of TiCx
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2004) -
Powerful switch based on CX1525A thyratron
за авторством: Chertishev, I.A., та інші
Опубліковано: (2014)