Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353238 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013)
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Transportation of QSPA plasma streams in longitudinal magnetic field
за авторством: Makhlaj, V.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Makhlaj, V.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2013)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
за авторством: Sarkar, S.K.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Sarkar, S.K.
Опубліковано: (2003)
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)
The quantum-mechanical movement of an electron in crossed uniform electric and magnetic fields
за авторством: V. I. Myroshnichenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Myroshnichenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
Elecron beam weldability of TC21 damagetolerant titanium alloy
за авторством: Kh. Juan, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kh. Juan, та інші
Опубліковано: (2016)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)
Generation of the magnetic field in the compressible plasma streams
за авторством: Kozlov, A.N.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kozlov, A.N.
Опубліковано: (2008)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Quantum oscillations in an anisotropic Weyl semimetal in crossed magnetic and electric fields
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2017)
Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
The charged particles movement on the closed trajectories in the crossed constant electrical and magnetic fields
за авторством: Kirochkin, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kirochkin, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Computer simulation of abnormal glow discharge processes in crossed electric and magnetic fields
за авторством: Isakov, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Isakov, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015) -
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013) -
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)