Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN

Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353238
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Transportation of QSPA plasma streams in longitudinal magnetic field
за авторством: Makhlaj, V.A., та інші
Опубліковано: (2002)

Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2013)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)

One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
за авторством: Sarkar, S.K.
Опубліковано: (2003)

The quantum-mechanical movement of an electron in crossed uniform electric and magnetic fields
за авторством: V. I. Myroshnichenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Електричнi та високочастотнi властивостi компенсованого gan в умовах електронного стримiнгу
за авторством: Syngayivska, G. I., та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Elecron beam weldability of TC21 damagetolerant titanium alloy
за авторством: Kh. Juan, та інші
Опубліковано: (2016)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Generation of the magnetic field in the compressible plasma streams
за авторством: Kozlov, A.N.
Опубліковано: (2008)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

Quantum oscillations in an anisotropic Weyl semimetal in crossed magnetic and electric fields
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)

The charged particles movement on the closed trajectories in the crossed constant electrical and magnetic fields
за авторством: Kirochkin, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Computer simulation of abnormal glow discharge processes in crossed electric and magnetic fields
за авторством: Isakov, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: Sadovyi, B., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)