On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | M. V. Shpotyuk, M. M. Vakiv, O. I. Shpotyuk, S. B. Ubizskii |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353240 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: Shpotyuk, M.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Optical nonlinearities in chalcogenide vitreous semiconductors (review)
за авторством: I. D. Tolmachev, та інші
Опубліковано: (2010) -
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)