Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автор: | G. V. Vertsimakha |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353244 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2015) -
Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2016) -
Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2016) -
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018) -
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)