Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | V. V. Basanets, V. S. Slepokurov, V. V. Shinkarenko, Ja. Kudrik, Ja. Ja. Kudrik |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405313 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2016) -
Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016) -
The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010) -
Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010) -
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)