Statistical analysis and optimization of igbt manufacturing flow
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | V. V. Baranov, A. M. Borovik, Ju. Lovshenko, V. R. Stempitskij, Ch. Chan, I. Shelibak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2015
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405314 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
HV pulse modulator with switch on HV IGBT transistor
за авторством: Dolgov, A., та інші
Опубліковано: (2004) -
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Experimental electromagnetic compatibility of conducted electromagnetic interferences from an IGBT and a MOSFET in the power supply
за авторством: Lahlaci, M. E., та інші
Опубліковано: (2024) -
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025) -
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)