Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	O. A. Abdulkhaev, D. M. Jodgorova, A. V. Karimov, Sh. M. Kuliev
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000423708
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Problems in measurement of integrated sensitivity of photodetectors
за авторством: I. V. Doktorovich, та інші
Опубліковано: (2015)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Numerical simulation of the stress-strain and limit states of the pyrophyllite container and punches of a six-punch high pressure apparatus
за авторством: O. V. Bovsunivskyi, та інші
Опубліковано: (2020)

The limits of thermoelectric cooling for photodetectors
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Chiral tunneling through the single barrier structure based on the α-T3 model
за авторством: A. M. Korol, та інші
Опубліковано: (2021)

A look through psychological barrier
за авторством: I. A. Meizhys
Опубліковано: (1993)

Photodetector device for fiber optical telecommunication systems
за авторством: N. O. Andreyeva, та інші
Опубліковано: (2019)

Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films
за авторством: Agaev, F.G.
Опубліковано: (2001)

Formation of Photodetector Optimal Signal in Optical Control Systems
за авторством: Ye. Ye. Antonov, та інші
Опубліковано: (2022)

Interaction of punches of canonical shapes with an elastic base with two bedding coefficients
за авторством: O. V. Maksymuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of Colour Noise on Relaxation Time in Tunnel Double-Barrier Nanostructures
за авторством: V. N. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2011)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

The influence of geometrical parameters of punches of cubic high-pressure apparatus on their stress-strain and limiting state at high pressure creation
за авторством: S. B. Polotniak, та інші
Опубліковано: (2017)

Formation of Photodetector Optimal Signal in Optical Control Systems
за авторством: Антонов, Є. Є., та інші
Опубліковано: (2022)

Slipping contact of a punch with an elastic wedge
за авторством: V. I. Ostryk, та інші
Опубліковано: (2011)

Propagation of the fast magnetosonic wave through the generalized Budden barrier
за авторством: Kazakov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2010)

Uncooled р(Pb₁₋xSnxSe)-n(CdSe) heterostructure-based photodetector for the far infrared spectral range
за авторством: Lepikh, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2014)

CRYO F — PHR Automated Cryogenic Installation for Certifying the Characteristics of Optical Filters and Photodetectors
за авторством: O. O. Savchuk, та інші
Опубліковано: (2019)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Pressure with friction of an absolutely rigid punch on an elastic half-space with cracks
за авторством: M. P. Savruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Photodetector resistant to background light noise with extended dynamic range of input signals
за авторством: V. M. Lipka, та інші
Опубліковано: (2021)

Strain sensitivity effect in double-layered Cu/Cr and Fe/Cr films
за авторством: D. V. Velikodnyj, та інші
Опубліковано: (2008)

Contact of rectangular punch with rounded edges with a half-space
за авторством: N. N. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Contact interaction of prestressed annular punch and half-space
за авторством: Yu. Babych, та інші
Опубліковано: (2020)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Modeling of temperature fields in the growth volume of the high-pressure cell of the cix-punches high pressure apparatus in growing of diamond crystals by T-gradient method
за авторством: T. S. Panasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)

The time of simultaneous tunneling of identical particles through the rectangular quantum barrier
за авторством: Martseniuk, L.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Partial Slip in Thermomechanical Contact of Plane Punch and Elastic Half-Space
за авторством: Yu. M. Streliaev, та інші
Опубліковано: (2024)

CRYO F — PHR Automated Cryogenic Installation for Certifying the Characteristics of Optical Filters and Photodetectors
за авторством: A. H. Demishev
Опубліковано: (2019)

Proximity phenomena in double-barrier structure NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr
за авторством: Plecenik, A., та інші
Опубліковано: (1999)

Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)