Heterostructure-based diode with the cathode static domain
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | O. V. Botsula, K. G. Prikhodko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Radiophysics and Electronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000431317 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2016) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Attainable electron energy in diode with plasma cathode at the given voltage
за авторством: Ostroushko, V., та інші
Опубліковано: (2019) -
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013) -
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)