Heterostructure-based diode with the cathode static domain
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. V. Botsula, K. G. Prikhodko |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schriftenreihe: | Radiophysics and Electronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000431317 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
von: O. V. Botsula, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Attainable electron energy in diode with plasma cathode at the given voltage
von: Ostroushko, V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)