Buchumschlag

Influence of conditions of deposition and annealing on a nanohardness of amorphous Si–C–N films

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
1. Verfasser:	O. K. Porada
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000454323
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Effect of the nitrogen flow on the properties of Si–C–N amorphous thin films produced by magnetron sputtering
von: A. O. Kozak, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Evaluation of materials nanohardness by the spheroconical indenter
von: V. I. Moshchenok, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Study of postimplantation annealing of SiC
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)

The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
von: Bagmut, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
von: O. O. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Elastic Modulus and Nanohardness of Non-Work-Hardened Palladium Hydride
von: M. V. Goltsova, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
von: Semenov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Deposition and characterization of thin Si–B–C–N films by dc reactive magnetron sputtering of composed Si/B4C target
von: A. A. Onoprienko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
von: Zhuravel, I.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
von: I. O. Zhuravel, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Optical studies of as-deposited and annealed Cu₇GeS₅I thin films
von: Studenyak, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
von: O. O. Gavrylyuk
Veröffentlicht: (2014)

The influence of the condition of the surface of Al87Ni8Y5 amorphous alloy electrode on the microstructure and morphology of the deposited polyaniline films
von: M. Yatsyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Optical studies of as-deposited and annealed Cu7GeS5I thin films
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Nanostructure of amorphous films
von: N. L. Dyakonenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Nanostructure of amorphous films
von: Dyakonenko, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
von: M. M. Krasko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
von: M. M. Krasko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
von: O. O. Gavrylyuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
von: O. O. Gavrylyuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
von: Bratus, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
von: Ya. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Crystallization study of (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x amorphous films by the optical method
von: Rubish, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Scanning Acoustic Microscopy of Annealing Effects for Aluminium Thin Film Deposited on Silicon Substrate
von: Chafia Atailia, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Influence of vacuum annealing on the composition of electrochemically deposited zinc selenide layers
von: Klochko, N.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
von: Lisovskyy, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
von: I. P. Lisovskyy, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
von: Kondrat, O., et al.
Veröffentlicht: (2004)