Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | S. V. Biletskyi, O. A. Krut |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000461564 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000) -
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013) -
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity
за авторством: Konoreva, O.V., та інші
Опубліковано: (2016)