Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | E. P. Skipetrov, A. V. Knotko, E. I. Slynko, V. E. Slynko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477079 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electronic structure of lead telluride-based alloys, doped with vanadium
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011) -
Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
Thermoelectricity of lead telluride doped with Sb and Bi
за авторством: M. O. Galuschak, та інші
Опубліковано: (2014) -
Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)