Зображення обкладинки

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	E. P. Skipetrov, A. V. Knotko, E. I. Slynko, V. E. Slynko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477079
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electronic structure of lead telluride-based alloys, doped with vanadium
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2013)

Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)

Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Thermoelectricity of lead telluride doped with Sb and Bi
за авторством: M. O. Galuschak, та інші
Опубліковано: (2014)

Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Dependences of thermoelectric properties on the thickness of thin films of indium doped lead telluride
за авторством: S. I. Menshikova, та інші
Опубліковано: (2014)

Thermoelectrical efficiency of lead telluride films doping V group elements
за авторством: Sh. B. Atakulov, та інші
Опубліковано: (2009)

Thermoelectric properties of thin films based on pure and doped lead telluride
за авторством: B. S. Dzundza, та інші
Опубліковано: (2016)

Synthesis, properties and mechanisms of doping with Sb of thermoelectric lead telluride PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)

Thermoelectric properties of vapour-phase condensatesbased on doped lead telluride SnTe:Vi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Crystallochemistry of defects in lead telluride films
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2001)

Size effects in lead telluride thin films and thermoelectric properties
за авторством: S. I. Olkhovskaya, та інші
Опубліковано: (2013)

Thermoelectricity of solid solutions based on lead telluride
за авторством: M. O. Haluschak, та інші
Опубліковано: (2014)

Magnetic properties of diluted magnetic semiconductors Pb1–yFeyTe
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)

Electronic structure of Pb1–x–ySnxFeyTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2019)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO₃ doped with Er³⁺
за авторством: Sarakovskis, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Impurity scattering of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2010)

Band carriers scattering on impurities
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2010)

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: Paiuk, A.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO3 doped with Er3+
за авторством: A. Sarakovskis, та інші
Опубліковано: (2016)

Methodology for determining climate change by analysis of impurity concentrations in the glacier
за авторством: Curmei, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Temperature–carrier-concentration phase diagram of a two-dimensional doped d-wave superconductor
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)

On charged impurity structures in liquid helium
за авторством: Pelmenev, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

On charged impurity structures in liquid helium
за авторством: A. A. Pelmenev, та інші
Опубліковано: (2016)

Point-contact Andreev-reflection spectroscopy of doped manganites: Charge carrier spin-polarization and proximity effects
за авторством: V. N. Krivoruchko, та інші
Опубліковано: (2013)

Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: A. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms
за авторством: Pugantseva, O.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms
за авторством: O. V. Pugantseva, та інші
Опубліковано: (2013)

Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2019)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)